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  • 型号: BSL316C L6327
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSL316C L6327由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSL316C L6327价格参考。InfineonBSL316C L6327封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSL316C L6327参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSL316C L6327 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N/P-CH 30V TSOP-6MOSFET OptiMOS 2/OptiMOS-P2 Sm Signal Transistr

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

1.4 A

Id-连续漏极电流

1.4 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSL316C L6327OptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/BSL316C_rev2.1.pdf?folderId=db3a30431add1d95011aed428f2d0285&fileId=db3a30431add1d95011aed6aee7702ee

产品型号

BSL316C L6327

PCN过时产品

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

500 mW

Pd-功率耗散

500 mW

Qg-GateCharge

0.6 nC, -2.4 nC

Qg-栅极电荷

- 2.4 nC, 0.6 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

160 mOhms, 150 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

160 mOhms, 150 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

2.3 nS, 6.5 nS

下降时间

1 nS, 7.5 nS

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 3.7µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

94pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

0.6nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

160 毫欧 @ 1.4A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TSOP6-6

其它名称

BSL316C L6327DKR

典型关闭延迟时间

5.8 nS, 14.3 nS

功率-最大值

500mW

包装

Digi-Reel®

商标

Infineon Technologies

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-74,SOT-457

封装/箱体

TSOP-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

2.3 S, 2.7 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.4A,1.5A

系列

BSL316

通道模式

Enhancement

配置

Dual

零件号别名

BSL316CL6327HTSA1 SP000442412

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